一份SK海力士内部分析文件意外曝光，揭示了全球存储芯片市场面临的严峻供需失衡。该文件显示，除HBM和SOCAMM外，标准DRAM的供应紧张将持续�年，这一预测比瑞银此前预计�年一季度更为严峻。
据社交平台X用户@BullsLab上周分享的截图，SK海力士认为标准DRAM的产能增长将受到严重制约。供应商库存正被消耗至最低水平，而生产产能相比以往上升周期预计增长有限。
人工智能需求激增成为推动这轮"超级周期"的核心动力。SK海力士预计，AI服务器市场份额将�年�%飙升�年�%，带动DRAM需求实�%的强劲增长。
这一供需格局将对全球科技产业链产生深远影响。据华尔街见闻此前文章，瑞银预测今年四季度DDR合约价将环比上�%，2026年一季度将进一步上�%。苹果等科技巨头也将面临成本压力，其与三星、SK海力士的长期供应协议将�月到期。
供应端：产能扩张周期漫长，难解燃眉之急
SK海力士内部分析指出，标准DRAM供应受限的根本原因在于产能扩张周期漫长。新DRAM工厂从建设到正常运营需要数年时间，预计新增产能要�年才能释放。
即便利用现有厂房进行技术转换也面临挑战。无论是DDR4停产转向DDR5，还是NAND制程转换为DRAM生产，都需要相当长的调整周期。这使得短期内通过产能调配缓解供需矛盾变得困难。
与此同时，供应商库存水平正急剧下降。SK海力士财务担当副社长金祐贤在上季财报电话会议上透露，"明年不仅HBM，包括DRAM、NAND产能均已售罄，甚至有客户提前购买�年的传统存储芯片。"
需求端：AI驱动存储"超级周期"
人工智能应用爆发式增长正重塑存储芯片需求格局。SK海力士预计，AI服务器份额将�年�%跃升�年�%，推动服务器DRAM需求实�%的增长。
PC市场同样受到AI浪潮影响。尽�年PC整体出货量预计�年持平，但AI PC在总量中的占比将�%扩大�%，显著提升单机DRAM容量需求。
NAND Flash市场也迎来增长机遇。SK海力士预计，服务器eSSD需求预计同比增�%，整体NAND需求增�%。存储原厂将主要投资集中在服务器DRAM和HBM上，导致NAND供应相对短缺，价格面临持续上涨压力。
涨价周期或超预期？
瑞银此前预测，今年四季度DDR合约价将环比上�%，NAND Flash合约价上�%。2026年一季度DDR合约价将进一步上�%，NAND价格继续上�%。
SK海力士的内部分析显示供应紧张将持续�年，比瑞银预计�年一季度更为严峻。这意味着存储芯片涨价周期可能超出市场预期。
科技巨头也将承受成本压力。苹果与三星、SK海力士的长期供应协议被曝将�月到期，两家韩国厂商计划从明月开始提高对苹果的存储芯片供应价格。
面对供需严重失衡，SK海力士正积极扩充产能。专注于HBM生产的M15X工厂已完成两年建设，将提前开业并于明年开始全面量产。
该公司还在建设包括M15X和计划�年上半年开工的龙仁晶圆厂在内的先进生产基础设施，以确保"晶圆厂空间"和"产能"满足AI存储日益增长的需求。
不过，考虑到半导体产能建设的长周期特性，这些新增产能能否及时缓解当前供需紧张局面仍存在不确定性。投资者需密切关注存储芯片价格走势及其对下游产业链的传导效应。